湖南盈能电力科技有限公司是一家专注于智能化、高科技产品研发、、销及服务为一体的科技型企业。 专业从事生产销高低压电器为主,产品在电力电网、工业控制、机械设备和公共设施中都被广泛的采用。
公司核心产品有成套配电柜,高压断路器、关、电力变压器,微机保护装置,火灾监控,小型断路器、塑壳式断路器、智能型剩余漏电断路器,式框架断路器、浪涌保护器、控制与保护关 、双电源自动切换关、启式关,控制变压器、交流接触器、热过载继电器,电力仪表,关电源等系列。yndl1381
公司秉承着“专业、诚信、值得信赖”的经营理念。以合理的价格,完善的服务,的产品。以客户需要为导向,以提高客户生产效率及质量为目标,不断引进选进技术同产品,为客户带来更为的现场解决方案。 我们的专业和不断地,我们的诚信和 服务,得到了各行业客户的一致肯定好评,为企业赢得了 卓越商誉。 “客户信赖,的品牌商”是我们企业追求的目标。我们也时刻以此来严格要求自已,期待在 关键时候为您为的现场解决方案以及完善的产品和服务。盈能电力科技公司致力打造 电气销服务品牌,愿与各界同仁志士竭诚合作,共同发展,共创美好未来!
欢迎访问##河南获嘉KBNRQ3600软启动器——实业集团
巴氏酵母和短乳杆菌分离的实验装置示意图。在入口处(即A-A),巴氏酵母和短乳杆菌随机分散。在惯性分馏(即B-B)之后,巴氏酵母沿着通道的内壁聚焦,并且通过在分叉点处放置适当的出口,可以分离这些细胞。在梯形截面的螺旋通道中,通过惯性升力和迪恩阻力的联合作用,内壁受力大于外壁,酵母细胞向出口内壁迁移。研究人员通过评估,选择1.5mL/min的流速作为流速,对巴氏酵母可以实现超过90%的分离效率。此外,为了提高短乳杆菌的分离效率,将其通过螺旋微通道再循环三次,分离效率可达90%以上。示波器可通过各种各样的视图模式来观察波形,有YT、XY两大类别,YT模式又可以进一步细分为普通、大时基、滚动等模式,观察信号时,应选择哪一种模式才 合适,不同的模式之间又有什么关联。本文带您详细深入探讨,各个模式显示的方式,优点与缺点,帮您快速准确地找到合适的模式来观察信号。YT模式YT模式是示波器中 常见的,其坐标系Y轴为通道输入信号,上正下负,参考地为零点,X轴为时间,左负右正,触发点为零点。YT模式还可进一步细分为普通、大时基、滚动、Zoom、插值模式,下面一一详细介绍。
半导体生产流程由晶圆,晶圆测试,芯片封装和封装后测试组成,晶圆和芯片封装讨论较多,而测试环节的相关知识经常被边缘化,下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容,主要集中在WAT,CP和FT三个环节。集成电路设计、、封装流程示意图WAT(WaferAcceptanceTest)测试,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),对Wafer划片槽(ScribeLine)测试键(TestKey)的测试,通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定,CMOS的电容,电阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据,测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT测试机台上,由WATRecipe自动控制测试位置和内容,测完某条TestKey后,ProbeCard会自动移到下一条TestKey,直到整片Wafer测试完成。在带宽500MHz以下的示波器,一般标配是1倍衰减或10倍衰减的无源探头,某些探头的衰减比可手动选择。不同衰减比的探头在带宽、输入电阻、输入电容上面都有差异:图2ZP1025SA1倍、10倍衰减时的参数差异可见探头的输入电容,比晶体手册的负载电容要大。探头的介入,必定大大影响到原已参数优化好的电路,从而严重影响晶体电路的起振。两害相权取其轻,测量无源晶振时应优先选用10倍衰减探头。若10倍衰减探头的寄生参数还是过大,可以考虑选用有源高压差分探头,其负载参数优化得非常小,如Lecroy的ZP1000探头,输入阻抗可达0.9p1M欧姆。如下.2.3几个方面的应用:与我们生产生活紧密相关的通信系统中,许多问题的出现可能是由该系统中的组件故障导致的,而传输线故障通常是 频繁发生的,线路的老化、雨水的腐蚀、以及恶劣的天气等等都是影响线路稳定性的原因, 终这些隐患就可能会导致线路故障的发生。使用DTF可以及早发现连线路的问题隐患,在电缆被氧化腐蚀之前进行积极,很大程度上避免通信中断事故的发生,借助DTF功能监测单个传输线的轻微衰减,并在发生严重损坏之前及早解决问题相比事故的成本则会低很 25的道路车辆熔断器国标中,对熔断器的参数定义及测试指标了详细的说明。完整的丝相关测试包含导通压降测试,熔断时间,级进电流及分段能力测试。本文主要以SF3和SF51为待测对象,重点介绍熔断时间测试。熔断时间实验要求下图摘自ISO882-1_27国标中针对SF3和SF51的熔断测试要求,熔断时间需在过载电流从1.1IR~6.IR范围内测试,当过载电流越大,熔断时间越快。