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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。
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令牌总线通讯方式令牌总线通讯方式又称为N：N通讯方式是指在总线结构的PLC子网上有N个站，它们地位同等没有主站与从站之分，也可以说N个站都是主站。N：N通讯方式采用令牌总线存取控制技术。在物理总线上组成一个逻辑环，让一个令牌在逻辑环中按一定方向依次活动，获得令牌的站就取得了总线使用权。令牌总线存取控制方式限定每个站的令牌持有时间，保证在令牌循环一周时每个站都有机会获得总线使用权，并优先级服务，因此令牌总线存取控制方式具有较好的实时性。单从外观，我们是无法区分PLC输出的类型的。一般是从型号上区分，PLC的型号上一般都有表示输出特性的字母。R是英文Relay的缩写，表示继电器输出，可接交直流负载T是英文Transistor的缩写，表示晶体管输出，只能接直流负载S是英文Silicon的缩写，表示晶闸管输出，只能接交流负载比如图一中PLC的型号是K7M-DRT20U,字母RT就是表示输出的字母。它表示此PLC是继电器和晶体管混合输出的。晶闸管又称为可控硅整流器，我们经常也叫可控硅，单向可控硅它是PNPN四层半导体结构，中间形成三个PN结，总共有三个极：阳极，阴极和控制极。只要在阳极和阴极加正向电压并且控制板极有触发电流就能导通。值得注意的是：可控硅一旦导通，控制电压便失去了对它的控用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者施加反向电压。而对于双向晶闸管来说，它相当于两个单向晶闸管的反向并联，这样的话双向晶闸管在正、反两个方向上都能够控制导电，双向晶闸管的正、反向伏安特性曲线具有对称性，所以给双向晶闸管的控制极加正的或负的触发脉冲，都能使管子触发导通，因此普遍用于交流控制关场合。变频器接线要求1)变频器和电机的距离应该尽量的短。这样减小了电缆的对地电容，减少干扰的发射源。2)电机电缆应独立于其它电缆走线，其距离为500mm。同时应避免电机电缆与其它电缆长距离平行走线，这样才能减少变频器输出电压快速变化而产生的电磁干扰。如果控制电缆和电源电缆交叉，应尽可能使它们按90度角交叉。与变频器有关的模拟量信号线与主回路线分走线，即使在控制柜中也要如此。3)模拟量控制线选用屏蔽线，屏蔽一端接变频器控制电路的公共端(COM)，不要接变频器地端或大地，另一端悬空;动力电缆选用屏蔽或者从变频器到电机全部用穿线管屏蔽，或遵从变频器的用户手册。