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在维修作业时，会碰到一种现象。设备不能正常工作，设备是好的，用万用表测得的电压也是额定电压。如图；v1电源s1s2为空x1为负载当用万用表测得s1s2两端电压为220v。闭合关s1s2负载x1不能发光，关s1s2到负载x1线路设备是好。那 终可以 定是电源v1到关s1s2线路设备有问题。但测量电压又是好的。如图；如果因为什么原因导致电源v1到关s1s2之间电阻变大。就如R1此时在测量关s1s2电压还是电源v1的额定电压，但当接上负载后就不一样了，关s1s2闭合后就相当于电阻R1与x1串联接入电源v1。但是蜂鸣器的压降很难获知，而且有些蜂鸣器的压降可能变动，这样一来基极电阻阻值就很难选择，阻值选择太大就会驱动失败，选择太小，损耗又变大。d电路也会出现同样的问题，所以不建议选用图二的这两种电路。图三这两个电路，电路的驱动信号为3.3VTTL电平，常出现在3.3V的MCU电路设计中，如果不注意就很容易就设计出这两种电路，而这两种电路都是错误的。先分析e电路，这是典型的“发射极正偏，集电极反偏”的放大电路，或者叫射极输出器。周期为20ms的周期波形将该波形通过单片机的外部中断0输入，可以测出下降沿中断触发的实际时刻，下面对该波形进行具体分析。建立如所示的直角坐标。建立的直角坐标设所示波形的周期为T，单片机在电压下降到y=y′时刻触发中断，t1′、t2′、t3′分别为前后周期的中断触发时刻，则有：将以上波形由单片机外部中断0输入，选择边沿触发方式，通过中断服务程序测取T1或者T2的值，从而可求出中断发生时刻的电平值y′，即边沿触发中断的实际时刻。对于这个原因，很多人会联想到电流的"集肤效应"。集肤效应：当导体中有交流电或者交变电磁场时，导体内部的电流分布不均匀，电流集中在导体的"皮肤"部分，也就是说电流集中在导体外表的薄层，越靠近导体表面，电流密度越大，导线内部实际上电流较小。结果使导体的电阻增加，使它的损耗功率也增加。这一现象称为集肤效应。对于集肤效应的深度可以通过公式计算：ξ——导体电导率，且ξ=1/ρ，ρ为导体电阻率μ——导体材料的磁导率δ——集肤深度ω——角频率，且ω=2πf，f为电流频率集肤效应和交流电的频率有关，频率越高，集肤效应越显着。即发出读写的功能码完全一样，不同之处在于：当为双字时，32_bitunsigned格式的数据，使用5x和4x两种设备类型分别读取数据时，高字和低字的位置是颠倒的。，使用4x设 x：是一个可读可写的设备类型，读取数据的时候，发出的功能码也是03H，与4x不同之处在于写数据的时候发出的功能码时06H，即写单个寄存器的数据。
