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场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极、集电极、发射极。场效应管的S极与晶体管的e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。


其中主回路有三个交流接触器，它的大小是根据电机功率来配置的，主回路的导线也是根据电机功率选择导线截面积的(多股铜导线按照每平方毫米5A取值)。热继电器按照电机额定电流选择。控制回路需要常闭触点状态的停止按钮一个；常触点的启动按钮一个；得电延时继电器1~30s一个；简单地说，二次启动控制回路都是控制三个交流接触器的线圈，它需要利用接触器的常触点进行自锁，接触器的常闭触点进行互锁，防止它们之间错误的动作。

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