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中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。


波纹管1也被相对较高的低压压靠在一起。调节阀打，腔压通过低压侧来卸压。活塞上面的低压与簧1的力的合力大于活塞下面的腔压和簧2的力的合力。于是斜盘的倾斜度就变大（行程增大），输出功率提高。制冷能力低时的低功率输出波纹管2舒展了。相对较低的低压使得波纹管1也舒展。调节阀关闭。低压侧因腔压而关闭。腔压经校准节流孔而增大。活塞上面的低压与簧1的力的合力小于活塞下面的腔压和簧2的力的合力。于是斜盘的倾斜度就变小（行程减小），输出功率降低。

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