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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小 8W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，选NMOS。NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。


由此可以判断，此时黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。对于PNP型三极管，道理类似。测不准，动嘴巴如果在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，由于颠倒前后两次测量指针偏转角度都很小，实在难以区分，就要“动嘴巴”了，具体方法是，在“顺箭头，偏转大”的判别方法的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部位，用嘴巴含住基极，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分出来集电极和发射极，其中原理是由于人体起到直流偏置电阻的作用，湿测量效果更加明显。

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