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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 85.3
Rel Phasing Sequenza Circuito PC Autista Tavola & UNMP Reliance Electric 770.91.20COX Drive Interface Module Reliance H 56C RELIANCE 704323-3X UNMP 银色 Reliance 82746-390 Circuito Stampato Reliance Electri 600 Motor Reliance Electric 45C961 输出模块 **XLNT** RELIANCE 电动内部 PC-2 电源控制键盘 Reliance Electric 6MDVN-2P3101 MD 60 交流电驱动器, 电压:132VAC,* 适用于零件 RELIANCE ELECTRIC 0-52015 UNMP Reliance Electric 45C964 输出模块 Reliance 电隔离模拟输出模块 57C410 B/M:5710-C BALDOR RELIANCE MOTOR VBM3546, 1 HP, TIGEAR WORM 1, 7.5:1 |
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