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然后瞬时断A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压。若保持接通A极或T2极时断G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。而因为期间的一致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。现设一致性带来的导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us。(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。主要通讯方式 N总线通讯，设其中一个plc为上位机，另外的都为下位机，设置不同的站号，进行交互通讯。品牌不重要，首先程序里面初始化（只需调用一次）通信格式（包括站号，波特率，校验，停止位，等），一般可以用主站的读写指令来实现，（西门子的可以直接调用modbus库，就容易很多）然后编写需要的数据。一般情况下，如果不需要读取过多参数，还可以通过触摸屏，所有的PLC都和触摸屏通讯，然后通过触摸屏转换控制。改变偏置状态之后观察集电极电压的变化就可推出其电流的变化，进一步判断晶体管有无放大能力。这类放大电路不论有无信号，其工作点是不会变的，故此法具有可行性。方法是短路被测管的BE结，应出现：UBE=0V,IB=0,IC=0。UCE=VCC。UE0。即晶体管如同断路一般。但该方法不能用于直接耦合电路，因为该方法会引起电路工作失常。工作于饱和—放大状态的晶体管对于该种电路，无信号时是饱和状态，这是也可以采用短路BE结观察UC的变化情况。