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云南迪庆废旧电缆高压电缆( /动态)
主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。由于之前在生产型的变频器厂家工作过,富凌、伟创、雷诺尔,那时候主要高压变频器,也看很多相关,然后总结一些变频器的知识点,现在先发一些这方面的知识,有的很基础,让大家很好的理解变频器的关键知识点。变频器容量选大:其一是因为变频器额定电流接近电动机的额定电流,或者电机有一小段时间是过载运行,因为电机的过载能力强,短时间过载不会出现问题,而变频器的过载能力很弱,通常只有一两分钟,所以几乎没有过载能力。它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功放输入级(前级),绝缘栅型场效应管则用在功放末级(输出级)。场效应管的工作原理和三极管其本一样,只是他们一个是压控型元件,一个是电流控制元件,场效应管只有一个PN结。场效应分类使用注意事项及检测方法:MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。短延时过电流脱扣器起到当发生短路时,延时一段时间让断路器进行跳闸。3低压断路器瞬时过电流脱扣器的整定电流低压断路器瞬时过电流脱扣器的整定电流一般不宜小于低压断路器长延时过电流脱扣器的整定电流的10倍。即:式中,Iset3为低压断路器瞬时过电流脱扣器的整定电流。配电变压器低压侧断路器的选择低压断路器按照功能可以分为选择性和非选择性两种类型,变压器低压侧断路器用选择性断路器;低压断路器按照极数可以分为1P、2P、3P和4P。 |
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