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威远射频同轴电缆SYV-75-12威远OTIS、KON蒂森等厂家生产的电梯,轿厢尺寸较大,需要的井道尺寸也较大。如果按照三菱电梯样板设计井道,有可能无法OTIS电梯。如果按照OTIS电梯样板设计井道,三菱电梯时导轨支架长度就不够;使用加长导轨支架,为了增强导轨支架的强度,在支架间焊接加强筋,致使导轨支架变形;导轨支架点焊后并不牢固,如果满焊,又容易使导轨支架发生移位。解决方案:在砖墙上抠取支架孔洞时,应拆除周围整块红砖,而不是部分红砖,在拆除过程中,如果有红砖碎裂,需要一起取出。 矿用阻燃网线MHYV4*2*0 ,23AWG; 矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5优势 反转铝箔屏蔽层,保证屏蔽层端接; 蜗型技术保证弯曲时良好的屏蔽效果。 威远射频同轴电缆SYV-75-12威远矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5应用范围 六类/D级水平与垂直布线; 适用于有电磁干扰环境以及对数据传输安全性要求较高的地方; 高传输速率网络应用:千兆以太网,10/100BaseT等。 威远射频同轴电缆SYV-75-12威远矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5产品特 2007六类标准 2.具有向后兼容性,可向下兼容UTP5e及更低类别的系统,避免用户的投资损失 3.传输时延低,紧凑线缆设计,减少中电缆出现扭曲打结现象 4.中心PE十字骨架,Z大程度上保证过程中不破坏双绞线绞距,具有高抗电磁干扰性,使传输信号的误码率降至Z低程度 5.内置撕裂绳,便于施工 6.线缆外护套上间隔印有商标、电缆编号、电缆类别、线规、防火等级、标准、米数标、批号 7.内轴外纸箱包装,外箱贴有合格证 8.绝缘单线生产过程采用在线控制偏心仪,在线火花检测仪,在线水中电容检测仪等在线设备,保证了产品的高可靠性和一致性,绝缘单线采用彩条色标符合环保要求 9.所有使用铜及PE、PVC材质,都经过检测分析,放射性有害重金属含量完全控制在严格标准内 10.绝缘层材料为高密度聚乙(HDPE) 11.外护套材料可选用不同阻燃等级材料 矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能 1.工作电容:≤5.6nF/100米 2.线对对地电容不平衡:≤330pF/100米 3.额定传输速率(NVP):65% 4.线对时延差:≤45ns/100米 5.Z大导体直流电 G) 6.线对直流不平衡电阻:≤2% 7.绝缘电阻Z小值(MΩ/Km):5000 矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5物理特性 1.传输带宽大于250MHz 2.23AWG线规 3.整箱线长305米 矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能 产品特性: 2. 具有向后兼容性,可向下兼容UTP6、UTP5e及更低类别的系统,避免用户的投资损失 3. 传输时延低,紧凑线缆设计,减少中电缆出现扭曲打结现象 4. 中心PE十字骨架,Z大程度上保证过程中不破坏双绞线绞距,具有高抗电磁干扰性,使传输信号的误码率降至Z低程度 5. 屏蔽系统采用端到端屏蔽及接地设计,防止信号泄漏和外部干扰,屏蔽性能良好,抗电磁干扰能力强 6. 4F) 7. 单面覆塑铝箔屏蔽+丝网 /> 8. 每个线对覆塑 FF) 9. 线缆外护套上间隔印有商标、电缆编号、电缆类别、线规、防火等级、标准、米数标、批号 10. 木轴装,轴上贴有合格证 11. 绝缘单线生产过程采用在线控制偏心仪,在线火花检测仪,在线水中电容检测仪等在线设备,保证了产品的高可靠性和一致性,绝缘单线采用彩条色标符合环保要求 12. 所有使用铜及PE、PVC材质,都经过检测分析,放射性有害重金属含量完全控制在严格标准内 13. 绝缘层材料为高密度聚乙(HDPE) 14. 外护套材料可选用不同阻燃等级材料或低烟无卤材料 矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能: 1. 工作电容:≤5.6 nF/100米 2. 线对对地电容不平衡:≤330 pF/100米 3. 额定传输速率(NVP):65% 4. 线对时延差:≤45ns/100米 (23AWG) 6. 线对直流不平衡电阻:≤2% 7. 绝缘电阻Z小值(MΩ/Km): 5000 威远射频同轴电缆SYV-75-12威远矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能物理特性: 1. 传输带宽大于500MHz 2. 23AWG线规 3. 整轴线长305米 矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能型号: 非屏蔽UTP-6 铝箔屏蔽FTP-6 铜网屏蔽STP-6LM2596系列是3A电流输出降压关型集成稳压芯片,它内含固定频率振荡器(150KHZ)和基准稳压器(1.23v),并具有完善的保护电路、电流限制、热关断电路等。利用该器件只需极少的外围器件便可构成稳压电路。LM2596内部包含150KHZ振荡器、1.23v基准稳压电路、热关断电路、电流限制电路、放大器、比较器和内部稳压电路等。该器件内部集成频率补偿和固定频率发生器,关频率为150KHz,与低频关调节器相比较,可以使用更小规格的滤波元件。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机,没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的,51具体结构如下图。组成推挽结构,从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流,提高带载能力,两个管子根据通断状态有四种不同的组合,上下管导通相当于把电源短路了,这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲,上管-下管关时IO与VCC直接相连,IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻,输出0就是漏状态(低阻态),因为I/O引脚是通过一个管子接地的,并不是使用导线直接连接,而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。 |
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