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下图充分说明了HB型混合式步进电机的结构和工作原理。转子磁路中间为 磁铁,下侧为N极,上侧为S极。磁铁的厚度方向磁通由上向下。始状态为A相激磁,则“杠A”相极性相反,因此停在图示位置,转子与A相和“杠A”相的各一半对应,形成交链磁通Фm,如图中虚线所示。下一步,激磁相转换到状态,断A相激磁电流,接通B相激磁电流,则转子向右1/4转子齿距,运行到图的位置。再一步,激磁相转换到状态,断B相激磁,接通“杠A”相激磁,则转子从状态向右一步(1/4齿距)运行到状态的位置。打编程软件,进行硬件配置打编程软件,进行硬件配置,并将I/O地址写在符号表中不同的PLC使用不同的编程软件。但是对于任何一种软件来说,编程前的步就是进行硬件组态,根据实际PLC的类型建立硬件配置及相应的通讯配置。硬件组态完成后,将之前在纸上记录下来的I/O地址写在软件的符号表中。由于软件不同,对于符号表的定义可能不同,但一般的软件都有该功能,这一步是至关重要的。在编写符号表时,不仅要把设备输入输出的地址写正确,再给每个地址命名并添加注释,这对后面的编程会非常方便。电平转换,提高输出电平参数值。OC门必须加上拉电阻才能使用。加大普通IO引脚驱动能力。悬空引脚上下拉抗干扰。九、晶振和复位电路晶振电路晶振选 592M,20M等待负载电容:对地接2个10到30pF的电容即可,常用20pF。万用表测晶振:直接用红表笔对晶振引脚,黑表笔接GND,测量电压即可。复位电路复位把单片机内部电路设置成为一个确定的状态,所有的寄存器初始化。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。 |
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