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可以全部允许或有选择的允许。SF1“DIS_AIRT”延迟比当前优先级更高的中断和异步错误，直到用SF2允许中断或当前OB执行完毕，SF2“EN_AIRT”用来允许立即被SF1暂时禁止的中断和异步错误，SF1和SF2配对使用。组织块的变量声明表：OB块是操作系统调用的，OB没有背景数据块，也不能为OB声明输入、输出参数和静态变量，所以，OB的变量声明表中只有临时变量，OB的临时变量可以是基本数据类型、复杂数据类型或数据类型ANY。地址范围为00H~FFH(256B)。是一个多用多功能数据存储器，有数据存储、通用工作寄存器、堆栈、位地址等空间。内部程序存储器(ROM)：在前面也已讲过，MCS-51内部有4KB/8KB字节的ROM(51系列为4KB，51系列为8KB)，用于存放程序、原始数据或表格。因此称之为程序存储器，简称内部RAM。地址范围为0000H~FFFFH(64KB)。定时器/计数器51系列共有2个16位的定时器/计数器(52系列共有3个16位的定时器/计数器)，以实现定时或计数功能，并以其定时或计数结果对计算机进行控制。对于这个原因，很多人会联想到电流的"集肤效应"。集肤效应：当导体中有交流电或者交变电磁场时，导体内部的电流分布不均匀，电流集中在导体的"皮肤"部分，也就是说电流集中在导体外表的薄层，越靠近导体表面，电流密度越大，导线内部实际上电流较小。结果使导体的电阻增加，使它的损耗功率也增加。这一现象称为集肤效应。对于集肤效应的深度可以通过公式计算：ξ——导体电导率，且ξ=1/ρ，ρ为导体电阻率μ——导体材料的磁导率δ——集肤深度ω——角频率，且ω=2πf，f为电流频率集肤效应和交流电的频率有关，频率越高，集肤效应越显着。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。今天分享给大家一个用万用表测量电容容量的方法，方法很简单，既然我们想测电容，所以刚拿出来万用表先来观察下测量电容的档位在哪，需不需要更换表针的位置，小编手里只有下图中的这种万用表，所以只能以下面这款为例了，其实万用表的种类有很多，像下面的第二张图又是一种，但是不同万用表测量方法基本上一样，学会一款基本上都学会了。在上面的那张图片上我们可以看到在表盘的左下角有一个大写的“F”标志，其实它就表示测量电容的档位，是以电容的单位法拉命名的，下一步把表针旋转至大于所测电容容量大小的量程，其实越接近越好，为了便于操作，我们直接使用了万用表的量程，除此之外还需要看下表针的位置需不需要更改，一般黑表笔的位置有固定的标志“COM”,所以我们只需要改变一下红表笔的位置就可以了，而电容的符号为“C”，正好万用表上有一个“Cx”所以我们就可以把红表笔插到这个表孔中。