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场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
用途:
结构: 9.5(Ω/km) 工作电容:52±4PF/km
绝缘电阻:大于10000MΩ.km
1. 对绞绝缘线芯2.聚酯薄膜3.铝箔4.纵放铜丝5.护套 CPEV 5*2*0.9 外径11.5mm 护套厚度1.3mm将捕获模式依次设置为标准、峰值、平均和高分辨率模式,很明显在对比之下,标准捕获模式下(如图5所示),信号噪声适中,峰值捕获模式下(如图6所示),信号的噪声显示比较明显,而平均(如图7所示)和高分辨率(如图8所示)捕获模式下显示的波形几乎没有随机噪声。了解了同一输入信号在不同捕获模式下的不同显示效果之后,再来对这四种捕获模式个异同总结:对波形捕获模式无特殊要求时,一般使用示波器默认的标准捕获模式。要捕获窄脉冲或高频率的毛,选择峰值捕获模式。时基集成电路内部构成框图如下图所示(以TTL型为例),它巧妙地将模拟电路和集成电路结合在一起,从而可以实现多种用途。电阻R1~R3组成分压网络,为A1,A2两个电压比较器2/3Vcc和1/3Vcc两个基准电压。两个电压比较器的输出分别作为R-S触发器的置“0”信号和置“1”信号。输出驱动极和放电管VT受R-S触发器控制。时基集成电路的基本工作原理是:当置“0”输入端R电压UR=2/3Vcc时(US=1/3Vcc),上限比较器A1输出端为“1”,使R-S触发器置“0”,电路输出Uo为“0”,放电管VT导通,放电端DISC为“0”;当置“1”输入端电压US=1/3Vcc时(UR=2/3Vcc),下限比较器A2输出为“1”,使R-S触发器置“1”,电路输出Uo为“1”,放电管VT截止,放电端DISC为“1”;当强制复位端为“0”时,Uo为“0”,DISC为“0”。 |
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