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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。任何复杂的电路图都是由基本的简单的电路图构成的，只不过增加了更全备的保护或者设计功能更为复杂点，原理都是相通的。想要快速的看懂复杂的电路图，你可以参考以下方法：电工专业知识积累。1，首先至少要清楚电路的原理和电路的基本构成，特别是电气拖动这一块。2，熟练掌握电气拖动电路组成元器件的功能和作用。：交流接触器通电动作后，本身触点会发生什么变化，相应的电路会发生什么样的动态反应。3，基础电路图积累。任何复杂的电路图都是由基本电路图构成的，你可以首先掌握基本的常用的电路，：电机正反转控制电路，电机星三角降压启动电路，电机双速调节电路等等。我把漏电关的原理简化一下，个图给大家看看：这里的关键在于“电流互感器”——零线和火线同时穿过电流互感器（穿过电流互感器就可以监测线上的电流），再利用电子组件对两个电流进行分析。如果这个回路是完整的“□”，那么零线和火线上的电流就是相同的。但如果发生了漏电——该回路的火线和其它导体形成新的回路（这个回路可以是火线和其它回路的零线，也可以是火线和大地）；亦或是其它回路的火线接入了这个电路中。总之，就是造成零火线上的电流不同了，这个时候电子组件就会将其判断为漏电，从而致使脱扣器进行主动脱扣。R_TRIG是指上升沿触发，其中R是英文RISE的缩写，是指上升的意思。顺便说一句，当初我刚接触的时候，总是把F_TRIG当成上升沿触发，因为我一看到F就理所当然的把它当成了上升，可能是这字母会产生上升的感觉吧，以至于了很多的无用功，希望大家引以为戒。我们先看一下在LD和FBD中是如何实现上升沿和下降沿触发的图一LD实现边沿触发图二FBD实现边沿触发如图一图二所示，是分别用LD和FBD实现边沿触发，在这里LD直观的优势就体现出来了，FBD的边沿触发总有种怪怪的感觉，看上去很不直观。