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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。 长期面废铜、废铝、废铁、废旧不锈钢等废旧金属;电线电缆、电瓶、电机、变压器、配电柜等电力物资;破产企业整厂设备,各种大小厂房拆迁等业务。欢迎各企业、厂家来电垂询!
湖北恩施太阳能光伏板( /动态)太阳能光伏板施工剩余电缆( /动态)15,容抗:交流电流过具有电容的电路时,电容有阻碍交流电流过的作用,这种作用称为容抗,用XC表示,单位为Ω。16,阻抗:交流电流过具有电阻、电感、电容的电路时,它们阻碍交流电流通过的作用叫阻抗。17,直流电:大小和方向不随时间变化的电流称为直流电,交流电:大小和方向随时间周期性变化的电流称为交流电。18,正弦交流电:随时间按正弦规律变化的交流电流称为正弦交流电。非正弦交流电:随时间不按正弦规律变化的交流电流称为非正弦交流电。如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。晶体管的测量方法1.找出基极,并判定管型(NPN或PNP)对于PNP型三极管,E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管而言,则正好相反:E极分别为两个PN结的负极,而B极则为它们共用的正极,根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。负载为感性时,所选额定输出电压必须大于两倍电源电压值,而且所选产品的阻断(击穿)电压应高于负载电源电压峰值的两倍。如在电源电压为交流220V、一般的小功率非阻性负载的情况下,建议选用额定电压为400V-600V的SSR产品;但对于频繁启动的单相或三相 SSR产品.额定输出电流和浪涌电流;额定输出电流是指在给定条件下(环境温度、额定电压、功率因素、有无散热器等)所能承受的电流的有效值。要求1)发热和散热能力决定变频器的输出电流能力,从而影响变频器的输出转矩能力。2)载波频率:一般变频器所标的额定电流都是以载波频率,环境温度下能保证持续输出的数值。降低载波频率,电机的电流不会受到影响。但元器件的发热会减小。3)环境温度:就象不会因为检测到周围温度比较低时就增大变频器保护电流值。4)海拔高度:海拔高度增加,对散热和绝缘性能都有影响.一般1000m以下可以不考虑。以上每1000米降容5%就可以了。 |
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