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在这段期间,IR基本上保持不变,主要由VR和RL所决定。经过时间ts后P区和N区所存储的电荷已显着减小,势垒区逐渐变宽,反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流的数值,经过时间tt,二极管转为截止。由上可知,二极管在关转换过程中出现的反向恢复过程,实质上由于电荷存储效应引起的,反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。二极管和一般关的不同在于,“”与“关”由所加电压的极性决定,而且“”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流i0。 长期面废铜、废铝、废铁、废旧不锈钢等废旧金属;电线电缆、电瓶、电机、变压器、配电柜等电力物资;破产企业整厂设备,各种大小厂房拆迁等业务。欢迎各企业、厂家来电垂询!
积压电缆山东聊城光伏板组件此时,2相定子St2的磁极中心线在转子磁极N、S极的中间位置,2相定子与转子磁极中心线相差π/2,此位移角为一个步距角。第二步,图中,Stl的线圈电流为OFF,St2的线圈电流变成ON,转子向右π/2,转子被St2吸引而停止。第三步,图中,Stl的线圈电流反向通电,定子极性反转,转子再旋转π/2后静止。第四步,图中,St2的线圈电流反向通电,定子极性反转,转子再旋转π/2后静止。再返回图,依次(b)、、(d)反复循环,不断旋转。流程总结:将外接电位器的两端分别接变频器的+10V和ACM,将电位器的滑动端接电压输入端I。变频器与外接电位器之间的连接线要选用屏蔽线,且要三线均屏蔽的,如果变频器与外接电位器之间距离超过2米,就要考虑屏蔽线的质量,线径不能小。如果变频器与外接电位器之间距离超过10米,那么在保证屏蔽线的质量和线径下,还需要再套铁管。在保证屏蔽线的质量和线径下套铁管,距离可以超过200米,原则是变频器端,线路压降可以忽略,若压降过大,可以用单芯铜线屏蔽代替屏蔽线。可控硅包括单向可控硅和双向可控硅两种,都有三个脚。单向可控硅的三个引脚分别是G(控制极)、K(阴极)、阳极(A)。双向可控硅的三个引脚分别是G(控制极)、T1(输入端)、T2(输出端)。双向可控硅其实就是由两只单项可控硅反向并联构成的。单向可控硅图分辨单、双向可控硅的方法,用万用表的RX1档分别对可控硅三个引脚进行两两正反测量,这样测完一个可控硅需要测6次,6次中测量中只有一次测量值为几十至几百欧,就可判定这个可控硅是单向可控硅 ).32位运算(DZCP、DZCPP)将比较源[S+1,S]的内容与下比较値[S1+1,S1]和上比较値[S2+1,S2]进行比较,根据其结果(小、区域内、大),使D+D+2其中一个为ON。按 软元件的占用点数以D中的软元件为起始占用3点。注意不要与其他控制中使用的软元件重复。 |
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