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到这里就很清楚了，无论是低阻态还是高阻态都是相对来说的，把下管子置于截止状态就可以把GND和I/O口隔离达到路的状态，这时候推挽一对管子是截止状态，忽略读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路路，考虑到实际MOS截止时会有少许漏电流，就称作“高阻态”。由于管子PN节带来的结电容的影响，有的也会称作“浮空”，通过I/O口给电容充电需要一定的时间，那么IO引脚处的对地的真实电压和水面浮标随波飘动类似了，电压的大小不仅与外界输入有关还和时间有关，在高频情况下这种现象是不能忽略的。

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上图：不同磁路与步距之间的关系中图为相间磁路，定子节距相等，主极数合计为mP个，相邻A相和B相之间的节距与相内磁路节距相同，为360°/mP。A相激磁，与其极性相反的转子齿相对吸引。其次给B相激磁产生与A相相同的极性，吸引相应的转子齿。为便于理解，将多齿结构简化为单齿结构。此时，与A相所对转子齿和B相将相对的转子齿之间的节距为360°（n±1/2）/Nr（n整数），。故步距角为和之差：将θs=180°/PNr代入上式得：如相间磁路为三相，令P=3，则：Nr=m（3n±1）三相时，主磁极为3的倍数， 简单的三相3主极时，m=1变成下式：Nr=3n±1下图为n=3，Nr=8的结构图，用上式Nr=3n±1和θs=180°/PNr，可计算求得Nr和θs，如下表所示。

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热电偶补偿导线结构定义及术语符号放心购[股份@有限公司]欢迎您实例程序如下：编程方法二：利用ZCP指令编写程序，ZCP指令的源操作数[S]均为K、KnX、KnY、KnM、KnS、T、V、Z，其目标操作数[D]均为Y、M、S。该指令是将一个源操作数[S]的数值与另两个源操作数[S1]和[S2]的数据进行比较，结果送到目标操作元件[D]中，源数据[S1]不能大于[S2]。指令格式如下：实例程序如下：编程方法三：利用增量式凸轮控制指令INCD编写程序。