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2024欢迎访问##河南宁陵GFD(S)590-120干变冷却风机##股份集团-盛丰建材网平均功能是对采样数据执行平均，能直接支持平均的测量功能有：U、P、S、Q等值。平均包括指数平均和平均两种方式，下面介绍两种方式的区别和应用。首先我们来列一个表格：指数平均选择指数平均法，用户可设定衰减常数对电压或电流有效值、有功功率的瞬时值（采样数据）进行指数平均，去除被测量的高频成分。其中衰减常数可以手动设置，衰减常数设置值越大测量值越稳定，对输入变化的响应速度也就越慢，也就是说测量延迟会相应变长。Lamb(兰姆)波是二维波,与三维体波相比具有衰减速度慢,传播距离远的特点,因此常被用于大型板材的长距离及快速无损检测中。板材中兰姆波与管中、变截面波导介质中的导波一样,具有频散性与多模态性。加上环境噪声等多方面因素的影响,导波检测时传感器接收到的Lamb波信号非常复杂,属于非平稳随机信号,需要利用有效的信号技术提取有用的信息成分才能确定合适的激励方式,获得更好的检测成像效果。传统的Lamb波信号的方法包括反射系数法、傅里叶变换法、小波变换法、动态光法等,但是这些方法都有各自的不足。

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2024欢迎访问##河南宁陵GFD(S)590-120干变冷却风机##股份集团-盛丰建材网LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。 可以在MOV和TVS之间加一个电阻，可以防止TVS先导通到损坏，而MOV还没来得及动作;在选取R的时候要考虑R的功耗，以免R先损坏;同时可以并联电容，吸收能量，提高抗浪涌能力;MOV和TVS的选型很关键，选择适当的允许电压和通流量很重要，这个就要参照电源模块的输入电压以及浪涌试验等级，如果电压选择小了后端供电不正常，选择大了起不到保护作用，通流量选小了器件容易损坏。浪涌防护选择了一个可靠的防浪涌电路，再配上致远三代新品，小体积、率、自带短路保护的贴片产品，为你的系统保驾护航。