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举例说明：硬件组态如下：采用CPU315-2DP，双击硬件组态中的CPU，打属性对话框，由周期性中断选项卡可知只能使用OB35。默认的循环 序用MOVE将MB0的初值置7，即低3位为1，此外用ADD_I将MW6加1.OB35程序：每经过1000ms，MW2被加1.如下图禁止和硬件中断SF0“EN_IRT”和SFC39“DIS_IRT”分别是和禁止中断和异步错误的系统功能。用万用表识别结型场效应管引脚用万用表的RX1k档位，方法如图示。用万用表识别N或P沟道结型场效应管利用G极和S极之间，G极和D极之间为一个PN结的原理。如下图所示，根据PN结的正、反向电阻相差很大的特点可以分辨出栅极，并且可以分辨出是N沟道还是P沟道的场效应管。此方法不能用来识别绝缘栅型场效应管的栅极，因为这种管子的输入阻抗非常高，栅源之间的极间电容很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。减少EMI的干扰采用金属外壳屏蔽减小外界电磁场辐射干扰。为减少从电源线输入的电磁干扰，在电源输入端加EMI滤波器。在输出端采用高频性能好、ESR低的电容采用高分子聚合物固态电解质的铝或钽电解电容作输出电容是的，其特点是尺寸小而电容量大，高频下ESR阻抗低，允许纹波电流大。它 适用于率、低电压、大电流降压式DC/DC转换器及DC/DC模块电源作输出电容。采用与产品系统的频率同步为减小输出噪声，电源的关频率应与系统中的频率同步，即关电源采用外同步输入系统的频率，使关的频率与系统的频率相同。三极管，全称半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的号，也用作无触点关。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。