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什么是共模干扰?如上图所示,如果基极信号源Signal_in的电流和电压都不变β也不变,但是Ice确因为外界的某些原因变了,那么这个电路对于Ice的变化是无能为力的。如上图所示,Signal_in的电流和电压都不变β也不变,实际Ice和理想的Ice=Ib*β之间的变化量叫共模干扰。如何共模干扰?结合上图在左图,可以发现R6电阻可以有效地共模干扰并且将干扰在一定范围以内。设Signal_in的电流和电压都不变β也不变实际Ice大于了理想的Ice,那么可以推导出上图电路的工作过程∵(Ib不变)(Ic上升)(Vr6上升)(Vbe下降)(Ibe下降)(Ic下降)∴可以看出由于R6电阻的作用,使此电路的Ice输出达到了一个动态平衡∴可以发现R6的电流变化与Ib的电流变化方向是相反的,所以R6是这个电路中的负反馈电阻。场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机,没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的,51具体结构如下图。组成推挽结构,从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流,提高带载能力,两个管子根据通断状态有四种不同的组合,上下管导通相当于把电源短路了,这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲,上管-下管关时IO与VCC直接相连,IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻,输出0就是漏状态(低阻态),因为I/O引脚是通过一个管子接地的,并不是使用导线直接连接,而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。变频器输入侧功率因数低,是因为线路中存在高次谐波造成的。在电流的有功分量相等的情况下,相位角越大,无功电流就越大,这样铜损越大。1变频器输入侧功率因素低,主要原因是电路中存在高次谐波电流,增加补偿电容,在电网容量较低时,更容易出现电压的脉动,有可能损坏补偿电容。1单就改变功率因素来讲,直流电抗器优于交流电抗器。但是交流电抗器可以削弱冲击电流。(直流电抗器用在直流侧,目的是将直流电流中的交流部分稳定在某范围内,使直流部分连续,减少直流脉动。 |
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