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用BMOV将数据写入RAM后，再从RAM中读出。将数据写入EEPROM盒时，需要花费一定的时间，务必请注意。4 ，共2000点。驱动特殊辅助继电器M8074，由于采用扫描被禁止，上述的数据寄存器可作为文件寄存器，用BMOV指令传送数 5，共256点。是写入特定目的的数据或已经写入数据寄存器，其内容在电源接通时，写入初始化值（一般先清零，然后由系统ROM来写入）。当电源电压UiUi升高时，负载电压UoUo相应地升高，根据上文中的图a的伏安特性，IVIV将显着地增大，在限流电阻R上的压降(IL+IV)R(IL+IV)R亦将增大，从而抵消了UiUi的升高对UoUo的影响。尽管此时稳压管的电流增大了，但其端电压仅有微小的增加，与之并联的负载电压UoiUoi几乎不变。反之，若UiUi下降，IVIV减小，R上的压降减小，亦使UoUo近乎不变。若电源电压UiUi不变，负载电流改变，如ILIL增大，由于电源内阻和R上的压降增大，使UoUo下降，IVIV也明显地减小，从而使得流过R上的电流(IR=IV+IL)(IR=IV+IL)及其压降近乎不变，输出电压U0U0也就近乎不变。L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。RC电路的时间常数：τ=RC充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)]U是电源电压放电时，uc=Uo×e(-t/τ)Uo是放电前电容上电压RL电路的时间常数：τ=L/RLC电路接直流，i=Io[1-e(-t/τ)]Io是 终稳定电流LC电路的短路，i=Io×e(-t/τ)]Io是短路前L中电流设V0为电容上的初始电压值；V1为电容 终可充到或放到的电压值；Vt为t时刻电容上的电压值。因此需要实现化编程，将常用的程序标准化、共享化，减少新发所需工时。工程类型，也就是上面所说的简单和结构化程序，如果我们所要控制的内容比较少，功能比较单一，逻辑不怎么复杂的可以选择简单工程，使用指令表、梯形图和SFC即可完成。如果是控制对象较多、大规模的过程控制或者分布式网络控制则需要采用结构化编程，通过再利用缩短编程时间、消减重新分配软元件的时间。简单化与结构化 重要的区别就是“标签”的使用。