|
||||
MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性,控制电路的导通和断来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFETRds(on)已经能够到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。
废旧电缆的分类
在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中,常用BT136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。双向晶闸管的电路符号。MOS场效应管的电路符号。场效应管属于单极型半导体器件,其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种,每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号,又可以作为关器件用来控制负载的通断,故场效应管的用途比晶闸管更广一些。在功放电路中,采用VMOS场效应管作为功率放大元件,可以提高音质;在关电路中,驱动电机等大电流负载时,选用MOS场效应管作为电子关,可以减轻前级驱动电路的负担(若选用晶闸管的话,需要从前级电路汲取较大的驱动电流)。
公司服务宗旨:以价优为基础,公平求生存,以信誉作保证的合作态度对待每一个客户;热情欢迎来电咨询洽谈,你的一个电话,本公司将派专员免费评估,使您足不出户,就能享受到我们的人性化服务! 当然,我们也可以不为其分配过程映像区,而直接使用外设寻址。对外设访问实时性要求比较高的场合外设寻址跳过了过程映像的刷新过程,CPU和输入/输出模块直接数据,实时性会相对好一些。外设寻址的特点外设寻址的单位为字节,通过装载指令"L" 多了读写4个字节的连续地址区域,如:LPID10。如果需要读写大于4个字节的连续地址区域,可用SFC14(DPRD_DAT)和SFC15(DPWR_DAT)来实现。多级阻容耦合放大电路这是一个二级阻容耦合放大电路,前后两级电路形式一致。电路由两级放大电路组成,即以TT2两个三极管为中心的基本放大电路;2.耦合方式为阻容耦合,由电解电容器CCC5作为耦合电容,用来隔断各级的直流偏置并传递信号;根据容抗Xc=1/2πfc,频率、电容越大容抗越小,因此这种电路的高频特性好,当频率低至一定值时,信号几乎通不过;另外为了降低容抗,选用容量较大的电解电容器作为耦合电容。 |
|