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在END_STRUCT点回车,在出现的新的行中定义一个名为fault的字符串,如上图所示,字符串长度占20个字符在上图中stack所在行的地址列中的+12表示结构在数据块中的起始地址为DBB12,结构中各元素的地址列中的+2.0等表示在结构中的相对起始地址,=8.0表示该结构一共占用8B, 一行地址行的=42.0表示DB块中的数组、结构和字符串一共占用42B,访问结构中的元素可以用结构中的元素的地址或符号地址来访问结构中的元素,访问结构中的数据时,需要指出结构所在的数据块的名称、结构名称,以及结构元素名称,数据块 内结构stack的元素amount应表示为” ”.stack.amount。当功能块FB1在组织块中被调用时,使用了与FB1相关联的背景数据块。这样FB1有几次调用,就必须配套相应数量的背景数据块。当FB1的调用次数较多时,就会占用更多的数据块。使用多重背景数据块可以有效地减少数据块的数量,其编程思路是创建一个比FB1级别更高的功能块,如FB10,对于FB1的每一次调用,都将数据存储在FB10的背景数据块中。这样就不需要为FB1分配任何背景数据块。下面以发动机组控制系统为例,介绍如何编辑和使用多重背景数据块。当关SC接通电源,SSSD断时,由于C相绕组的磁力线和4号齿之间磁力线的作用,使转子转动,4号齿和C相绕组的磁极对齐。而0、3号齿和B相绕组产生错齿,5号齿就和D相绕组磁极产生错齿。依次类推,D四相绕组轮流供电,则转子会沿着D方向转动。四相步进电机按照通电顺序的不同,可分为单四拍、双四拍、八拍三种工作方式。单四拍与双四拍的步距角相等,但单四拍的转动力矩小。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是K或A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。 |
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