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中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和,即有βIbIes在.21中设Vcc=5V,Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K,则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性,一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K,当集成电路控制端为+VCC时,应能至少1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路,而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求,但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能20mA的驱动电流(这里说的是漏电流)),则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。 长期面废铜、废铝、废铁、废旧不锈钢等废旧金属;电线电缆、电瓶、电机、变压器、配电柜等电力物资;破产企业整厂设备,各种大小厂房拆迁等业务。欢迎各企业、厂家来电垂询!
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