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我见过一个传真过来的原理图,怎么都看不出走线是否只是交叉而不是连接在一起。结果我猜错了,这浪费了我一天时间。如果所有原理图都用跳接,“没有4向结点”规则就没那么重要了。令我高兴的是,版本的Altium/CircuitStudio可以显示跳接,并能自动防止生成4向结点()。:像我这样的老人在走线间没有连接关系时喜欢采用跳接的方式。需要注意的是,4向结点是原理图中的禁忌。Altium/CircuitStudio有产生跳接的选项,也有通过设置走线偏移消除交叉结点的功能,比如这个芯片的GND连接处所示。 桐城线SYV-75-5桐城产品介绍: 主要规格:单芯、4mm2 额定电压:500V
桐城线SYV-75-5桐城产品介绍:产品适用于额定电压500V机场助航灯光输电二次系统。电缆导体的长期允许工作温度为90℃,短路时电缆的温度250℃( 长持续时间不超过5s);电缆工作温度为-15℃。 所谓寄存器寻址,就是我们使用plc内部寄存器的方法。如果把PLC的内部寄存器比喻成一幢大楼,那么寻址方法就是对房间门牌的编号。只有掌握了寄存器的寻址方法,我们才能正确使用内部寄存器。内部寄存器的寻址,是欧美系PLC所独有的,它不同于日系的PLC。因为日系的PLC一般是直接使用。比如三菱的PLC,它用D0,D1来表示内部的数据寄存器。M0,M1表示的是位寄存器,D0和M0之间没有任何关系而欧系PLC与日系的完全不同,是使用和计算机一样的寻址方法。
产品结构:导体7/0.85 电缆外径:7.75±0.2mm 绝缘标称厚度:1.6mm 桐城线SYV-75-5桐城护套标称厚度:1.0mm 20℃时直流电阻4.61Ω/km 电缆试验电压3.0KV/5min不击穿三个线圈CCCC为Y连接,如用△(三角形)接法也能同样运行。,,A相B相间加电压,两个线圈磁通方向相反如箭头所示。该激磁驱动电路如下图所示。T1~T6为功率管,各相线圈接法,T1~T6的B端为电源端,G端为接地端。T1~T6导通顺序如下表所示,O表示功率管导通,由此给Y接法的3个端子中的两个加正负电压。由于三个线圈的尾端短接,必定使两相绕组顺次激磁,即三相绕组两相激磁驱动。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性,控制电路的导通和断来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFETRds(on)已经能够到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。 |
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