SRI986-BIDS7FAANA2022年采购推荐

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多维力传感器小型化是未来重要发展趋势。为兼顾多维力传感器的小型 化和高性能，目前能够采取的主要途径是选用小尺寸（或体积）的敏感 元件，从而缩小传感器结构尺寸。基于压阻效应的敏感元件（如硅应变 计等）多采用半导体材料和加工工艺，在体积、性能和成本等方 有 显着优势，已成为实现多维力传感器小型化的重要技术途径之一。将半导体硅应变计应用于实现多维力传感器的小型化涉及特定技术问题：硅 应变计设计与其贴片工艺需满足多维力传感器的设计使用要求。 目前主流商业化压力传感器多采用（集成式）硅应变计。国内传统硅应 变计的制造工艺一般是在 P 型硅片衬底上采用扩散法或离子注入法掺杂 N 型杂质形成压敏电阻，并通过光刻、腐蚀、引线键合等工艺形成应变 计，但易造成应变计批次间较大的阻值差异。多维力传感器采用的应变 计较多，对一致性有的更高需求，较差的一致性则会导致不同桥路（分 量力）的零点输出差异较大，不利于其后续的温度及解耦信号处理与补 偿，并阻碍传感器的批量生产。对于贴片工艺，传统力传感器通常使用 有机粘接剂（硅胶、环氧等）将金属（或半导体）应变计粘接在传感器 弹性元件上，是目前 常见的传感器贴片材料。

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