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基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
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