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对于如何设计高频增强电路与低通滤波器电路,我们仍然以共发射极发大电路为例。首先,说一下低通滤波器电路我们考虑一下在共发射极放大电路的集电极并联电容的作用。低通滤波电路如上图所示,此电路时截止频率为1KHz的低通滤波电路。改电路具有将1KHz频率以上的高频截止功能。这是因为集电极电阻具有频率特性,所以导致三极管放大也有频率效应。频率越高,因为电容的影响,导致电容与电阻并联的阻抗也就越小,所以电路的增益Rc/Re也就越小。
用途:
结构:
工作电容:52±4PF/km
绝缘电阻:大于10000MΩ.km
1. 对绞绝缘线芯2.聚酯薄膜3.铝箔4.纵放铜丝5.护套 CPEV 5*2*0.9 外径11.5mm 护套厚度1.3mm如按A,C,B,A……通电,电机就反转。由此可见:电机的位置和速度由导电次数(脉冲数)和频率成一一对应关系。而方向由导电顺序决定。不过,出于对力矩、平稳、噪音及减少角度等方面考虑。往往采用A-AB-B-BC-C-CA-A这种导电状态,这样将原来每步1/3て改变为1/6て。甚至于通过二相电流不同的组合,使其1/3て变为1/12て,1/24て,这就是电机细分驱动的基本理论依据。不难推出:电机定子上有m相励磁绕阻,其轴线分别与转子齿轴线偏移1/m,2/m……(m-1)/m,1。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ib。 |
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