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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。
用途:
结构: .5(Ω/km) 工作电容:52±4PF/km
绝缘电阻:大于10000MΩ.km
1. 对绞绝缘线芯2.聚酯薄膜3.铝箔4.纵放铜丝5.护套 CPEV 5*2*0.9 外径11.5mm 护套厚度1.3mm当然,这也不是的,我只是根据图中所印的符号来讲的,因为图中4个符号分别表示电压、电阻、二极管和电容,并不是所有万用表都这样印字。希望大家能够举一反三。测量的时候,只要把表笔扎在待测的两点之间就好了。如果测二极管和电容,还要注意极性,黑表笔一般接负极。测量电流值如果要测量电流值的话,就要把红色表笔接在左侧两个接线孔上。如上面的图中,如果测量电流的大小范围是mA级别的,就接在第二个接线孔。图中400mAFUSED的意思是,该档位丝承受的电流为400mA;如果电流更大的话,就要接在个接线孔。振荡器能不能振荡起来并维持稳定的输出是由以下两个条件决定的;一个是反馈电压uf和输入电压Ui要相等,这是振幅平衡条件。二是uf和ui必须相位相同,这是相位平衡条件,也就是说必须保证是正反馈。一般情况下,振幅平衡条件往往容易到,所以在判断一个振荡电路能否振荡,主要是看它的相位平衡条件是否成立。振荡器按振荡频率的高低可分成超低频(20赫以下)、低频(20赫~200千赫)、高频(200千赫~30兆赫)和超高频(10兆赫~350兆赫)等几种。 |
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