桥西井下矿用光缆MGXTSV-12B1桥西 – 产品展示

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桥西井下矿用光缆MGXTSV-12B1桥西
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公司名称:电话电缆-天津市电缆总厂第一分厂
联系电话:86-0316-5962509 13831680550
传真:86-0316-5960153
联系地址:河北省廊坊市大城县毕演马
E-MAIL:tykongzhi@126.com
联系人:毕永田先生
发布时间:2024/11/5 11:40:07
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桥西井下矿用光缆MGXTSV-12B1桥西场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
HBV室内电话线应用:

工程布线、室内电话通信电缆系统布线系统之间的连接、语音通信系统之间主干线、程控机、电话传真和数字电话。

桥西井下矿用光缆MGXTSV-12B1桥西

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规格

导体直径

绝缘外径

成品外径

直流电阻

HBV

2×0.5