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到这里就很清楚了,无论是低阻态还是高阻态都是相对来说的,把下管子置于截止状态就可以把GND和I/O口隔离达到路的状态,这时候推挽一对管子是截止状态,忽略读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路路,考虑到实际MOS截止时会有少许漏电流,就称作“高阻态”。由于管子PN节带来的结电容的影响,有的也会称作“浮空”,通过I/O口给电容充电需要一定的时间,那么IO引脚处的对地的真实电压和水面浮标随波飘动类似了,电压的大小不仅与外界输入有关还和时间有关,在高频情况下这种现象是不能忽略的。
用途:
结构: 工作电容:52±4PF/km
绝缘电阻:大于10000MΩ.km
1. 对绞绝缘线芯2.聚酯薄膜3.铝箔4.纵放铜丝5.护套 CPEV 5*2*0.9 外径11.5mm 护套厚度1.3mm这两种电线相对来说更便宜一些,但由于其绝缘层强度不够,因此满足不了直接暴露在空气中使用。BV线是单股线,俗称“硬线”;BVR线是多股线,俗称“软线”。这两种线可任意选择,使用起来没有太大区别——有较小差别,但由于线方太小,几乎可以忽略,这里就不详细介绍了。当然价格方面二者不太一样,BV线要稍微便宜一点。明装电线所有明装电线——包括走线槽的电线,都可以使用BVVB或RVV线,这两种线又叫“护套线”。测量方法主要测量步骤如下:试样与衍射光栅的准备工作类似于莫尔干涉仪;在1~5mm之间确敏传感器到光栅的距离L,并输入到计算机软件。不能选择L=25mm;加负荷前的初始试验是测量x1和x2的平均值;对试样加压,测量新的x1和x2的平均值;利用方程计算应变。所有的计算都是由计算机软件自动完成的。接口软件流程是用LabVIEW完成的,包括数据采样、滤波、计算、读出和写入存储器、显示屏等。 |
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