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因为每个线圈上所分配到的电压与线圈阻抗成正比,2个电器动作是有先有后,不可能同时吸合。m415961.html如交流接触器K2先吸合,由于K2的磁路闭合,线圈电感显着增加,从而使另一个接触器K1线圈电压达不到动作电压。故2个电器需要同时动作时其线圈应并联连接。图3还有就是控制电路为交流220V单相时,线圈没放在N端。这也好理解,和照明电路相似,关控制火线,负载接零线端。见所示。为正确的设计。图43.在控制电路中应避免出现寄生回路在控制电路的动作过程中,意外接通的电路叫寄生回路。
用途:
结构: 工作电容:52±4PF/km
绝缘电阻:大于10000MΩ.km
1. 对绞绝缘线芯2.聚酯薄膜3.铝箔4.纵放铜丝5.护套 CPEV 5*2*0.9 外径11.5mm 护套厚度1.3mm明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机,没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的,51具体结构如下图。组成推挽结构,从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流,提高带载能力,两个管子根据通断状态有四种不同的组合,上下管导通相当于把电源短路了,这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲,上管-下管关时IO与VCC直接相连,IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻,输出0就是漏状态(低阻态),因为I/O引脚是通过一个管子接地的,并不是使用导线直接连接,而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。分压电阻损坏,分压不均造成某电容首先击穿,随后发生相关其他电容也击穿。电容 ,如外包绝缘损坏,外壳连到了不应有的电位上,电气连接处和焊接处 ,造成接触 发热而损坏。散热环境不好,使电容温升太高,日久而损坏。在更换电解电容时要有以下几点 :更换滤波电解电容器选择与原来相同的型号,在一时不能获得相同的型号时,必须注意以下几点:耐压、漏电流、容量、外形尺寸、极性、方式应相同,并选用能承受较大纹波电流,长寿命的品种。 |
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